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BFR183中文资料

BFR183图片

BFR183外观图

  • 大小：80.15KB
  • 厂家：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述：NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA)
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.3mm
  • 封装类型：SOT-23
  • 尺寸：1 x 2.9 x 1.3mm
  • 引脚数目：3
  • 晶体管类型：NPN
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：450 mW
  • 最大发射极-基极电压：2 V
  • 最大直流集电极电流：0.065 A
  • 最大集电极-发射极电压：12 V
  • 最大集电极-基极电压：20 V
  • 最小直流电流增益：70 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 最高工作频率：8000 MHz
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：双极射频
  • 配置：单
  • 长度：2.9mm
  • 高度：1mm

BFR183供应商

更新时间:2023-01-18 16:16:02
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