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BFR183中文资料

BFR183图片

BFR183外观图

  • 大小:80.15KB
  • 厂家:SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述:NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA)
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.3mm
  • 封装类型:SOT-23
  • 尺寸:1 x 2.9 x 1.3mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:450 mW
  • 最大发射极-基极电压:2 V
  • 最大直流集电极电流:0.065 A
  • 最大集电极-发射极电压:12 V
  • 最大集电极-基极电压:20 V
  • 最小直流电流增益:70 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:8000 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极射频
  • 配置:单
  • 长度:2.9mm
  • 高度:1mm

BFR183供应商

更新时间:2023-01-18 16:16:02
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